DB HiTek má kvalifikaci spolehlivosti pro osmipalcovou výrobu SiC MOSFETů s napětím 1 200 V

<p>Zavádí první kompletní osmipalcový výrobní proces pro SiC (karbid křemíku) na světě Zákazníkům poskytuje PDK (sadu pro návrh výrobního procesu) první a druhé generace, PDK třetí generace je naplánována na listopad; očekává se zkrácení doby vývoje produktu o více než jeden rok SOUL, Jižní...</p>